微細加工・デバイス作製・評価 一覧
検索結果213件
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[245]シリコン酸化皮膜形成用O3･TEOS/CVD装置〔リンク〕
- 型式
- ユーテック
- 所在
- 工学研究科（機械・知能系） / 青葉山キャンパス
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[247]薄膜形成用プラズマCVD装置〔リンク〕
- 型式
- サムコ PD-220NL
- 所在
- 工学研究科（機械・知能系） / 青葉山キャンパス
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[248]住友 PECVD〔リンク〕
SiN、SiO2、最高温度：350℃、低応力SiN成膜
- 型式
- 住友精密 MPX-CVD
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[249]マスク露光システム装置〔リンク〕
- 型式
- SUSS MicroTec MA8 Gen3 Thu1
- 所在
- 工学研究科（機械・知能系） / 青葉山キャンパス
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[250]熱CVD〔リンク〕
Epipoly-Si(non-doped,doped)、Poly-Si(non…
- 型式
- 国際電気
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[252]DeepRIE装置#1〔リンク〕
Siの深堀エッチング、メカニカルチャック
- 型式
- 住友精密 MUC-21
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[256]イオンビームミリング装置 エンドポイント分析器仕様〔リンク〕
- 型式
- 伯東 IBE-KDC75-TU-T-S
- 所在
- 工学研究科（マテリアル・開発系） / 青葉山キャンパス
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[257]TEOS PECVD システム 一式〔リンク〕
- 型式
- サムコ PD-100ST
- 所在
- 工学研究科（機械・知能系） / 青葉山キャンパス
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[267]イオンビームミリング装置〔リンク〕
- 型式
- 伯東 IBE-KDC75-THKU-ST
- 所在
- 工学研究科（機械・知能系） / 青葉山キャンパス
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[270]リアクティブイオンエッチング装置 一式〔リンク〕
- 型式
- サムコ RIE-10NR 一式
- 所在
- 工学研究科（機械・知能系） / 青葉山キャンパス
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[278]芝浦 スパッタ装置〔リンク〕
基板ステージφ200mm、3インチターゲット×3、基板加熱形（最高300℃）
- 型式
- 芝浦メカトロニクス CFS-4ESII
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[284]イオン注入装置〔リンク〕
- 型式
- アルバック IMX-3500
- 所在
- 医工学研究科 / 青葉山キャンパス
