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加工・処理 一覧
検索結果229件
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[635]マスクレスアライナ〔リンク〕
波長：405nm、最小描画線幅：1.0µm、高速直接描画、裏面アライメント可能、…
- 型式
- Heidelberg Instruments MLA150tt
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[647]クリーンルーム
・クリールーム環境の利用。（空調、ガス、純水、等）・装置の設置可（要相談）
- 型式
- ー
- 所在
- 未来科学技術共同研究センター / 青葉山キャンパス
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[681]ECRロングスロースパッタ〔リンク〕
基板サイズ小片～6インチ、ターゲット数2、ターゲット‐ステージ間距離150…
- 型式
- エリオニクス EIS-200ERP-NPD-TK
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[682]住友 TEOS PECVD#2〔リンク〕
TEOSSiO2、SiN、基板サイズ小片～8インチ、最高温度350℃、低応…
- 型式
- 住友精密 APX-Cetus
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[683]i線ステッパ〔リンク〕
基板サイズ小片～8インチ、最小線幅0.35μm以下、重ね合せ精度40nm、…
- 型式
- キヤノン FPA-3030i5+
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[684]コータデベロッパ〔リンク〕
基板サイズ2～8インチ、HMDS処理、コート3ライン、現像2ライン、エッジ…
- 型式
- SUSS ACS200 Gen3
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[685]JEOL FE-SEM〔リンク〕
電界放出型SEM、基板サイズ小片～4インチ、EDX付
- 型式
- 日本電子 JSM-6335F
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[699]中型ECR堆積装置
Arプラズマ照射下での化学気相成長法によりSi-Ge-C系薄膜形成が可能。薄膜へ…
- 型式
- ー
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
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[700]小型ECR堆積装置
Arプラズマ照射下での化学気相成長法によりSi-C系薄膜形成が可能。薄膜へのB及…
- 型式
- ー
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
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[708]パークシステムズAFM〔リンク〕
- 型式
- パークシステムズ NX20
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[720]水素アニール装置〔リンク〕
赤外線ランプ加熱、温度：最高1100℃、水素雰囲気におけるSi表面の平滑化処理な…
- 型式
- 自作
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[721]EVG プラズマ活性化装置〔リンク〕
サンプルサイズ：小片～8インチ、直接接合前のプラズマ活性化処理
- 型式
- EVG EVG810
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
