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加工・処理 一覧
検索結果226件
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[633]アネルバマルチスパッタ
1バッチ最大6枚搭載可能（回転機構付）、6インチターゲット×3（DC×2、RF×…
- 型式
- アネルバ SPC-350
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[635]マスクレスアライナ
波長：405nm375nm、最小描画線幅：1µm、マスク作製（Cr、エマルジョ…
- 型式
- Heidelberg Instruments MLA150
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[647]クリーンルーム
・クリールーム環境の利用。（空調、ガス、純水、等）・装置の設置可（要相談）
- 型式
- ー
- 所在
- 未来科学技術共同研究センター / 青葉山キャンパス
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[681]ECRロングスロースパッタ
小片～6インチ、ターゲット数2、ターゲット‐ステージ間距離150mm、コリメ…
- 型式
- エリオニクス EIS-200ERP-NPD-TK
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[682]住友 TEOS PECVD#2
TEOSSiO2、SiN、基板サイズ小片～8インチ、最高温度350℃、低応…
- 型式
- SPPテクノロジーズ APX-Cetus
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[683]i線ステッパ
小片～8インチ、最小線幅0.35μm以下、重ね合せ精度40nm、両面アライメ…
- 型式
- キヤノン FPA-3030i5+
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[684]コータデベロッパ
2～8インチ、HMDS処理、コート3ライン、現像2ライン、エッジリンス、バッ…
- 型式
- Suss ACS200Gen3
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[685]JEOL FE-SEM〔リンク〕
電界放出型SEM、基板サイズ小片～4インチ、EDX付
- 型式
- 日本電子 JSM-6335F
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[699]中型ECR堆積装置
Arプラズマ照射下での化学気相成長法によりSi-Ge-C系薄膜形成が可能。薄膜へ…
- 型式
- 日本シード研究所 PSU-801型
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
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[700]小型ECR堆積装置
Arプラズマ照射下での化学気相成長法によりSi-C系薄膜形成が可能。薄膜へのB及…
- 型式
- 日本シード研究所 PRC-002型
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
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[720]水素アニール炉
最高温度：1100℃、クリーンな環境下での赤外線ランプ加熱、Si専用
- 型式
- オリジナル -
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[721]EVG プラズマ活性化装置
直接接合前のプラズマ活性化処理標準ガス：N2
- 型式
- EVG 810
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
