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加工・処理 一覧
検索結果232件
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                        [580]UVキュア(UIS-5011 MIKY-AGG01) 用途:フォトリソグラフィプロセス全般(レジスト塗布、ベーキング、現像、パターン確… - 型式
- ウシオ電機 UIS-5011 MIKY-AGG01
 - 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
 
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                        [581]真空定温乾燥機(ADP300) 用途:フォトリソグラフィプロセス全般(レジスト塗布、ベーキング、現像、パターン確… - 型式
- ヤマト科学 ADP300
 - 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
 
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                        [584]マスクアライナー(サブミクロンマスクアライメント MJB-3) 基板サイズ5mm角から最大3インチ角、マスクサイズ:2インチ角から4インチ角、… - 型式
- SUSS MJB-3
 - 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
 
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                        [585]レーザー描画装置(DWL200) 最小描画線幅:2μmライン/スペース - 型式
- Heidelberg Instruments DWL200
 - 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
 
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                        [586]マスクアライナー(スピンデバイス用リソグラフィ装置 MJB-3) 基板サイズ5mm角から最大3インチ角、マスクサイズ:2インチ角から4インチ角、… - 型式
- SUSS MJB-3
 - 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
 
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                        [587]ナノスピン熱処理装置(Si室) 各種ガス雰囲気中での熱処理が可能。300~1100℃。3体。 - 型式
- システムサービス
 - 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
 
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                        [592]SiO2加工ドライエッチング(Si室) Si及びSi基板上のSiO2のエッチングが可能。RF励起平行平板型。導入ガスCF… - 型式
- アネルバ
 - 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
 
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                        [594]ナノ・スピンメタルスパッタリングシステム(3FCR) ターゲット材Al-Si(1%)、Ti。基板ホルダ33mmΦ(25枚/ロット)、2… - 型式
- アネルバ EVP-38877
 - 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
 
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                        [595]ボンダー(A408) ワイヤAl,Au。顕微鏡最大倍率60倍。超音波発生の出力と時間を独立制御可能。パ… - 型式
- WEST・BOND 7476D
 - 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
 
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                        [596]スパッタ装置(3FCR) 4”Φカソード3基。最大搬送基板サイズ4”Φ。最大基板加熱温度350℃。到達真空… - 型式
- アネルバ
 - 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
 
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                        [597]金属蒸着装置(3FCR) アルミニウム用抵抗加熱型蒸着源2個。対応ウェハサイズ33mmφ、2”、6”、8”… - 型式
- 日本シード研究所 ESE-09
 - 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
 
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                        [602]マスクアライナー(3FCR) ●用途集積回路試作用フォトレジストパターンの形成●性能基板サイズ:5… - 型式
- SUSS MicroTec MJB4
 - 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
 
