- /
- キャンパス
キャンパス 一覧
検索結果732件
-
[449]ランプアニール装置
最高温度：1100℃、昇温速度：100℃／sec、カセットtoカセット
- 型式
- AG Associates AG4100
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
-
[450]メタル拡散炉
最高温度：1000℃、メタルや圧電基板等の多用途拡散
- 型式
- 光洋リンドバーグ Model270
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
-
[451]LPCVD（SiN）
SiN
- 型式
- システムサービス -
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
-
[452]LPCVD（Poly-Si）
Poly-Si
- 型式
- システムサービス -
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
-
[453]LPCVD（SiO2、SiON）
SiO2（NSG）、SiON
- 型式
- システムサービス -
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
-
[454]W-CVD
タングステン成膜
- 型式
- Applied Materials P-5000
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
-
[455]アネルバ スパッタ装置
1バッチ9枚（4インチ）、8インチターゲット×3
- 型式
- アネルバ SPF-730
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
-
[456]電子ビーム蒸着装置
主に金属薄膜の蒸着
- 型式
- アネルバ EVC-1501
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
-
[457]ゾルゲル自動成膜装置
PZT成膜
- 型式
- テクノファイン PZ-604
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
-
[458]めっき装置
Cu、Ni、Sn、Au
- 型式
- 山本鍍金試験器 特注
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
-
[459]JPEL PECVD
SiN、SiO2、バッチ式：4インチ×13枚、6インチ×8枚
- 型式
- 日本生産技術研究所 VDS-5600
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
-
[460]住友精密 TEOS PECVD
TEOSSiO2、SiN、最高温度：350℃、低応力成膜
- 型式
- 住友精密工業 MPX-CVD
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
