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検索結果718件
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[459]JPEL PECVD〔リンク〕
SiN、SiO2、バッチ式：4インチ×13枚、6インチ×8枚
- 型式
- 日本生産技術研究所 VDS-5600
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[460]住友 TEOS PECVD〔リンク〕
TEOSSiO2、SiN、最高温度：350℃、低応力SiN成膜
- 型式
- 住友精密 MPX-CVD
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[461]自動搬送 芝浦スパッタ装置〔リンク〕
基板ステージφ220mm、3インチターゲット×4、基板加熱形（最高300℃）、ロ…
- 型式
- 芝浦メカトロニクス i-Miller CFS-4EP-LL
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[462]球面成膜用スパッタ装置〔リンク〕
球面体（直径1.0、3.3mm）へのスパッタリング、膜種：Au、Cr、Al、Pd…
- 型式
- 和泉テック
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[463]DeepRIE装置#2〔リンク〕
Siの深堀エッチング、メカニカルチャック
- 型式
- 住友精密 MUC-21
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[464]DeepRIE装置#3〔リンク〕
Siの深堀エッチング、メカニカルチャック
- 型式
- STS
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[465]アネルバ RIE装置〔リンク〕
SiN、SiO2のドライエッチング、ガス：CF4、CHF3
- 型式
- アネルバ DEA-506
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[466]アネルバ Si-RIE装置〔リンク〕
Siのドライエッチング、ガス：SF6
- 型式
- アネルバ L-507DL
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[467]Al-RIE〔リンク〕
AlやSiのドライエッチング、カセットtoカセット、ガス：Cl2、BCl3
- 型式
- 芝浦エレテック HIRRIE-100
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[468]アルバック アッシング装置〔リンク〕
2.45GHｚ、カセットtoカセット
- 型式
- アルバック UNA-2000
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[469]ブランソン アッシング装置〔リンク〕
13.56MHｚ
- 型式
- ブランソン IPC4000
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[471]アルバック 多用途RIE装置〔リンク〕
金属膜や圧電膜も対象とした多目的のドライエッチング、ガス：Cl2、BCl3、SF…
- 型式
- アルバック RIH-1515Z
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
