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設備・機器分類 一覧
検索結果685件
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[586]マスクアライナー（スピンデバイス用リソグラフィ装置 MJB-3）
基板サイズ5mm角から最大3インチ角、マスクサイズ：2インチ角から4インチ角、…
- 型式
- SUSS MJB-3
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
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[587]ナノスピン熱処理装置（Si室）
各種ガス雰囲気中での熱処理が可能。300～1100℃。3体。
- 型式
- システムサービス
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
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[588]分光エリプソ（Si室）
光源Xeランプ。波長250～800nm。反射／入射角45～90°。標準試料サイズ…
- 型式
- 大塚電子 FE-5000
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
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[589]X線光電子分光装置（NOVA)（Si室）
単色化X線（AlKα）。スペクトルモード最小分析領域15ミクロン。最小パスエネ…
- 型式
- 島津製作所 AXIS-NOVA
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
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[590]ワイドレンジナノ形状測定システム（Si室）
紫外レーザ顕微鏡、波長408nm。最大光学ズーム倍率6倍。観察視野21～560n…
- 型式
- 島津製作所 FT-3500
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
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[591]4探針抵抗率測定器（Si室）
プローブ間隔0.635mm。プローブ先端曲率40ミクロン。最大針圧200g。
- 型式
- ナプソン RT-70/RG-7
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
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[592]SiO2加工ドライエッチング（Si室）
Si及びSi基板上のSiO2のエッチングが可能。RF励起平行平板型。導入ガスCF…
- 型式
- アネルバ
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
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[593]原子スケール評価分析システム（Si室）
反射高速電子回折（RHEED）。最大加速電圧は0kV。最大試料サイズ4mm角ある…
- 型式
- Omicron
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
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[594]ナノ・スピンメタルスパッタリングシステム（3FCR)
ターゲット材Al-Si(1%)、Ti。基板ホルダ33mmΦ（25枚／ロット）、2…
- 型式
- アネルバ EVP-38877
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
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[595]ボンダー（A408）
ワイヤAl,Au。顕微鏡最大倍率60倍。超音波発生の出力と時間を独立制御可能。パ…
- 型式
- WEST・BOND 7476D
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
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[596]スパッタ装置（3FCR)
4”Φカソード３基。最大搬送基板サイズ4”Φ。最大基板加熱温度350℃。到達真空…
- 型式
- アネルバ
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
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[597]金属蒸着装置（3FCR)
アルミニウム用抵抗加熱型蒸着源２個。対応ウェハサイズ33mmφ、2”、6”、8”…
- 型式
- 日本シード研究所 ESE-09
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
