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設備・機器分類 一覧
検索結果678件
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[591]4探針抵抗率測定器（Si室）
プローブ間隔0.635mm。プローブ先端曲率40ミクロン。最大針圧200g。
- 型式
- ナプソン RT-70/RG-7
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
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[592]SiO2加工ドライエッチング（Si室）
Si及びSi基板上のSiO2のエッチングが可能。RF励起平行平板型。導入ガスCF…
- 型式
- アネルバ
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
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[593]原子スケール評価分析システム（Si室）
反射高速電子回折（RHEED）。最大加速電圧は0kV。最大試料サイズ4mm角ある…
- 型式
- Omicron
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
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[594]ナノ・スピンメタルスパッタリングシステム（3FCR)
ターゲット材Al-Si(1%)、Ti。基板ホルダ33mmΦ（25枚／ロット）、2…
- 型式
- アネルバ EVP-38877
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
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[595]ボンダー（A408）
ワイヤAl,Au。顕微鏡最大倍率60倍。超音波発生の出力と時間を独立制御可能。パ…
- 型式
- WEST・BOND 7476D
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
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[596]スパッタ装置（3FCR)
4”Φカソード３基。最大搬送基板サイズ4”Φ。最大基板加熱温度350℃。到達真空…
- 型式
- アネルバ
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
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[597]金属蒸着装置（3FCR)
アルミニウム用抵抗加熱型蒸着源２個。対応ウェハサイズ33mmφ、2”、6”、8”…
- 型式
- 日本シード研究所 ESE-09
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
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[602]マスクアライナー（3FCR）
●用途集積回路試作用フォトレジストパターンの形成●性能基板サイズ:5…
- 型式
- SUSS MicroTec MJB4
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
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[603]レーザー直接描画装置
●用途フォトリソグラフィ用レジストへの直接描画●性能レーザー光源波長:…
- 型式
- ネオアーク DDB-201-TU375
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
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[604]原子間力顕微鏡（Veeco）
●用途走査型プローブ顕微鏡の探針によるナノメートルスケールの加工機能・…
- 型式
- Bruker Dimension Icon
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
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[605]レーザー共焦点顕微鏡（Lasertec）
●用途試料表面のマイクロ～ナノメートルスケールの段差や粗さの非接触測定●…
- 型式
- レーザーテック H1200
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
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[614]フローサイトメーター Attune NxT
４本レーザー（405nm,488nm,561nm,638nm）、検出可能蛍…
- 型式
- Thermo Fisher Scientific A24858
- 所在
- 農学研究科 / 青葉山新キャンパス
