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加工・処理 一覧
検索結果232件
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[449]ランプアニール装置〔リンク〕
最高温度：1100℃、昇温速度：100℃／sec、カセットtoカセット
- 型式
- AG Associates AG4100
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[450]メタル拡散炉〔リンク〕
最高温度：1000℃、メタルや圧電基板等の多用途拡散
- 型式
- 光洋リンドバーグ Model270
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[451]LPCVD（SiN）〔リンク〕
SiN
- 型式
- システムサービス
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[452]LPCVD（Poly-Si）〔リンク〕
Poly-Si
- 型式
- システムサービス
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[453]LPCVD（SiO2、SiON）〔リンク〕
SiO2（NSG）、SiON
- 型式
- システムサービス
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[454]W-CVD〔リンク〕
タングステン成膜
- 型式
- Applied Materials P-5000
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[455]アネルバ スパッタ装置〔リンク〕
1バッチ9枚（4インチ）、8インチターゲット×3
- 型式
- アネルバ SPF-730
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[456]電子ビーム蒸着装置〔リンク〕
主に金属薄膜の蒸着
- 型式
- アネルバ EVC-1501
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[457]ゾルゲル自動成膜装置〔リンク〕
PZT成膜
- 型式
- テクノファイン PZ-604
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[458]めっき装置〔リンク〕
Cu、Ni、Sn、Au
- 型式
- 山本鍍金試験器
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[459]JPEL PECVD〔リンク〕
SiN、SiO2、バッチ式：4インチ×13枚、6インチ×8枚
- 型式
- 日本生産技術研究所 VDS-5600
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[460]住友 TEOS PECVD〔リンク〕
TEOSSiO2、SiN、最高温度：350℃、低応力SiN成膜
- 型式
- 住友精密 MPX-CVD
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
