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加工・処理 一覧
検索結果226件
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[441]酸化炉（MEMS用）
酸化膜形成、MEMSウェハ用
- 型式
- 東京エレクトロン XL-7
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[442]拡散炉（P拡散炉）
P拡散（プリデポ用）
- 型式
- 東京エレクトロン XL-7
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[443]拡散炉（P押し込み炉）
P拡散（ドライブイン用）
- 型式
- 東京エレクトロン XL-7
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[444]拡散炉（B拡散炉）
B拡散（プリデポ用）
- 型式
- 東京エレクトロン XL-7
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[445]拡散炉（B押し込み炉）
B拡散（ドライブイン用）
- 型式
- 東京エレクトロン XL-7
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[446]アニール炉
イオン注入後のアニール
- 型式
- 東京エレクトロン XL-7
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[447]中電流イオン注入装置
最大加速電圧：180keV、最大電流：0.6mA、注入可能元素：P、B、カセット…
- 型式
- 日新イオン機器 NH-20SR
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[449]ランプアニール装置
最高温度：1100℃、昇温速度：100℃／sec、カセットtoカセット
- 型式
- AG Associates AG4100
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[450]メタル拡散炉
最高温度：1000℃、メタルや圧電基板等の多用途拡散
- 型式
- 光洋リンドバーグ Model270
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[451]LPCVD（SiN）
SiN
- 型式
- システムサービス -
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[452]LPCVD（Poly-Si）
Poly-Si
- 型式
- システムサービス -
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[453]LPCVD（SiO2、SiON）
SiO2（NSG）、SiON
- 型式
- システムサービス -
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
