微細加工・デバイス作製・評価 一覧
検索結果70件
-
[596]スパッタ装置（3FCR)
4”Φカソード３基。最大搬送基板サイズ4”Φ。最大基板加熱温度350℃。到達真空…
- 型式
- アネルバ
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
-
[597]金属蒸着装置（3FCR)
アルミニウム用抵抗加熱型蒸着源２個。対応ウェハサイズ33mmφ、2”、6”、8”…
- 型式
- 日本シード研究所 ESE-09
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
-
[602]マスクアライナー（3FCR）
●用途集積回路試作用フォトレジストパターンの形成●性能基板サイズ:5…
- 型式
- SUSS MicroTec MJB4
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
-
[603]レーザー直接描画装置
●用途フォトリソグラフィ用レジストへの直接描画●性能レーザー光源波長:…
- 型式
- ネオアーク DDB-201-TU375
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
-
[647]クリーンルーム
・クリールーム環境の利用。（空調、ガス、純水、等）・装置の設置可（要相談）
- 型式
- ー
- 所在
- 未来科学技術共同研究センター / 青葉山キャンパス
-
[699]中型ECR堆積装置
Arプラズマ照射下での化学気相成長法によりSi-Ge-C系薄膜形成が可能。薄膜へ…
- 型式
- ー
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
-
[700]小型ECR堆積装置
Arプラズマ照射下での化学気相成長法によりSi-C系薄膜形成が可能。薄膜へのB及…
- 型式
- ー
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
-
[771]レーザー描画装置①
用途：フォトマスク作製、ウエハ直描最小加工線幅:300nm（HiRes）、80…
- 型式
- ハイデルベルグ・インストルメンツ DWL66+
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
-
[773]超音波洗浄器
他励発振方式、発振周波数：40KHz
- 型式
- アズワン USK-3R
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
-
[835]電子線描画装置(JBX-8100FS)
加速電圧100kV5mm～8inchウエハー対応
- 型式
- 日本電子株式会社 JBX-8100FS
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
