微細加工・デバイス作製・評価 一覧
検索結果216件
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[682]住友 TEOS PECVD#2〔リンク〕
TEOSSiO2、SiN、基板サイズ小片～8インチ、最高温度350℃、低応…
- 型式
- 住友精密 APX-Cetus
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[683]i線ステッパ〔リンク〕
基板サイズ小片～8インチ、最小線幅0.35μm以下、重ね合せ精度40nm、…
- 型式
- キヤノン FPA-3030i5+
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[684]コータデベロッパ〔リンク〕
基板サイズ2～8インチ、HMDS処理、コート3ライン、現像2ライン、エッジ…
- 型式
- SUSS ACS200 Gen3
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[685]JEOL FE-SEM〔リンク〕
電界放出型SEM、基板サイズ小片～4インチ、EDX付
- 型式
- 日本電子 JSM-6335F
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[699]中型ECR堆積装置
Arプラズマ照射下での化学気相成長法によりSi-Ge-C系薄膜形成が可能。薄膜へ…
- 型式
- ー
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
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[700]小型ECR堆積装置
Arプラズマ照射下での化学気相成長法によりSi-C系薄膜形成が可能。薄膜へのB及…
- 型式
- ー
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
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[708]パークシステムズAFM〔リンク〕
- 型式
- パークシステムズ NX20
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[720]水素アニール装置〔リンク〕
赤外線ランプ加熱、温度：最高1100℃、水素雰囲気におけるSi表面の平滑化処理な…
- 型式
- 自作
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[721]EVG プラズマ活性化装置〔リンク〕
サンプルサイズ：小片～8インチ、直接接合前のプラズマ活性化処理
- 型式
- EVG EVG810
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[722]酸化炉(8″)〔リンク〕
サンプルサイズ：小片～8インチドライ酸化、ウェット酸化（バブリング）酸化温度…
- 型式
- 光洋サーモシステム MT-10×8-A
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[735]エリオニクス 50kV EB描画装置〔リンク〕
最大加速電圧：50keV
- 型式
- エリオニクス ELS-7500EXTK
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[736]Zygo Nexview〔リンク〕
表面形状の精密測定、高さ方向の分解能・精度は0.1nm以下最大150mm角の大…
- 型式
- Zygo Nexview
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
