微細加工・デバイス作製・評価 一覧
検索結果216件
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[592]SiO2加工ドライエッチング（Si室）
Si及びSi基板上のSiO2のエッチングが可能。RF励起平行平板型。導入ガスCF…
- 型式
- アネルバ
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
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[594]ナノ・スピンメタルスパッタリングシステム（3FCR)
ターゲット材Al-Si(1%)、Ti。基板ホルダ33mmΦ（25枚／ロット）、2…
- 型式
- アネルバ EVP-38877
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
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[595]ボンダー（A408）
ワイヤAl,Au。顕微鏡最大倍率60倍。超音波発生の出力と時間を独立制御可能。パ…
- 型式
- WEST・BOND 7476D
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
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[596]スパッタ装置（3FCR)
4”Φカソード３基。最大搬送基板サイズ4”Φ。最大基板加熱温度350℃。到達真空…
- 型式
- アネルバ
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
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[597]金属蒸着装置（3FCR)
アルミニウム用抵抗加熱型蒸着源２個。対応ウェハサイズ33mmφ、2”、6”、8”…
- 型式
- 日本シード研究所 ESE-09
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
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[602]マスクアライナー（3FCR）
●用途集積回路試作用フォトレジストパターンの形成●性能基板サイズ:5…
- 型式
- SUSS MicroTec MJB4
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
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[603]レーザー直接描画装置
●用途フォトリソグラフィ用レジストへの直接描画●性能レーザー光源波長:…
- 型式
- ネオアーク DDB-201-TU375
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
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[632]アルバックICP-RIE#2〔リンク〕
SiO2、メタル、サファイアなどの多目的ドライエッチング、静電チャック、ガス：C…
- 型式
- アルバック CE-300I
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[633]アネルバマルチスパッタ〔リンク〕
1バッチ最大6枚搭載可能（回転機構付）、6インチターゲット×3（DC×2、RF×…
- 型式
- アネルバ SPC-350
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[635]マスクレスアライナ〔リンク〕
波長：405nm、最小描画線幅：1.0µm、高速直接描画、裏面アライメント可能、…
- 型式
- Heidelberg Instruments MLA150tt
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[647]クリーンルーム
・クリールーム環境の利用。（空調、ガス、純水、等）・装置の設置可（要相談）
- 型式
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- 所在
- 未来科学技術共同研究センター / 青葉山キャンパス
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[681]ECRロングスロースパッタ〔リンク〕
基板サイズ小片～6インチ、ターゲット数2、ターゲット‐ステージ間距離150…
- 型式
- エリオニクス EIS-200ERP-NPD-TK
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
