微細加工・デバイス作製・評価 一覧
検索結果216件
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[438]レーザ描画装置〔リンク〕
波長：405nm、最小描画線幅：0.7µm、マスク作製（Cr、エマルジョン）、直…
- 型式
- ハイデルベルグ・インストルメンツ DWL2000CE
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[439]球面露光装置〔リンク〕
球面体（直径1.0、3.3mm）へのマスクレス露光、最小パターン：1.5µmハー…
- 型式
- 東北電子産業
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[440]酸化炉（半導体用）〔リンク〕
酸化膜形成、半導体ウェハ用
- 型式
- 東京エレクトロン XL-7
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[441]酸化炉（MEMS用）〔リンク〕
酸化膜形成、MEMSウェハ用
- 型式
- 東京エレクトロン XL-7
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[442]P拡散炉〔リンク〕
P拡散（プリデポ用）
- 型式
- 東京エレクトロン XL-7
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[443]P押し込み炉〔リンク〕
P拡散（ドライブイン用）
- 型式
- 東京エレクトロン XL-7
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[444]B拡散炉〔リンク〕
B拡散（プリデポ用）
- 型式
- 東京エレクトロン XL-7
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[445]B押し込み炉〔リンク〕
B拡散（ドライブイン用）
- 型式
- 東京エレクトロン XL-7
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[446]アニール炉〔リンク〕
イオン注入後のアニール
- 型式
- 東京エレクトロン XL-7
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[447]中電流イオン注入装置〔リンク〕
最大加速電圧：180keV、最大電流：0.6mA、注入可能元素：P、B、カセット…
- 型式
- 日新イオン機器 NH-20SR
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[449]ランプアニール装置〔リンク〕
最高温度：1100℃、昇温速度：100℃／sec、カセットtoカセット
- 型式
- AG Associates AG4100
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[450]メタル拡散炉〔リンク〕
最高温度：1000℃、メタルや圧電基板等の多用途拡散
- 型式
- 光洋リンドバーグ Model270
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
