- /
- 機関・部局
機関・部局 一覧
検索結果680件
-
[590]ワイドレンジナノ形状測定システム（Si室）
紫外レーザ顕微鏡、波長408nm。最大光学ズーム倍率6倍。観察視野21～560n…
- 型式
- 島津製作所 FT-3500
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
-
[591]4探針抵抗率測定器（Si室）
プローブ間隔0.635mm。プローブ先端曲率40ミクロン。最大針圧200g。
- 型式
- ナプソン RT-70/RG-7
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
-
[592]SiO2加工ドライエッチング（Si室）
Si及びSi基板上のSiO2のエッチングが可能。RF励起平行平板型。導入ガスCF…
- 型式
- アネルバ
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
-
[593]原子スケール評価分析システム（Si室）
反射高速電子回折（RHEED）。最大加速電圧は0kV。最大試料サイズ4mm角ある…
- 型式
- Omicron
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
-
[594]ナノ・スピンメタルスパッタリングシステム（3FCR)
ターゲット材Al-Si(1%)、Ti。基板ホルダ33mmΦ（25枚／ロット）、2…
- 型式
- アネルバ EVP-38877
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
-
[595]ボンダー（A408）
ワイヤAl,Au。顕微鏡最大倍率60倍。超音波発生の出力と時間を独立制御可能。パ…
- 型式
- WEST・BOND 7476D
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
-
[596]スパッタ装置（3FCR)
4”Φカソード３基。最大搬送基板サイズ4”Φ。最大基板加熱温度350℃。到達真空…
- 型式
- アネルバ
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
-
[597]金属蒸着装置（3FCR)
アルミニウム用抵抗加熱型蒸着源２個。対応ウェハサイズ33mmφ、2”、6”、8”…
- 型式
- 日本シード研究所 ESE-09
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
-
[602]マスクアライナー（3FCR）
●用途集積回路試作用フォトレジストパターンの形成●性能基板サイズ:5…
- 型式
- SUSS MicroTec MJB4
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
-
[603]レーザー直接描画装置
●用途フォトリソグラフィ用レジストへの直接描画●性能レーザー光源波長:…
- 型式
- ネオアーク DDB-201-TU375
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
-
[604]原子間力顕微鏡（Veeco）
●用途走査型プローブ顕微鏡の探針によるナノメートルスケールの加工機能・…
- 型式
- Bruker Dimension Icon
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
-
[605]レーザー共焦点顕微鏡（Lasertec）
●用途試料表面のマイクロ～ナノメートルスケールの段差や粗さの非接触測定●…
- 型式
- レーザーテック H1200
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
