- ID
- 700
- 設備・機器分類
- 加工・処理 ｜ 微細加工・デバイス作製・評価
- 利用区分
- 学内：〇, 学外：〇
- メーカー
- ー
- 型式
- ー
- 仕様・特徴
- Arプラズマ照射下での化学気相成長法によりSi-C系薄膜形成が可能。薄膜へのB及びPドーピングも可能。30mm角程度までの小型基板のみ対応。
- 用途・使用目的
- ー
- キャンパス
- 片平キャンパス
- 部局
- 電気通信研究所
- 管理部署
- ー
- 設備担当者
- 利用相談はこちらより必要事項をご記入の上、お問い合わせください。
- 予約サイトのURL
- https://share.cfc.tohoku.ac.jp/share/equipment/detail/1/312
- 学外利用料金
※更新の都合で実際の料金とは異なる場合がございます。 - 本人利用： 1,172円 / 時間
技術指導料：実験の立会及び装置使用方法の指導： 6,713円 / 時間
クリーンルーム入室料： 1,445円 / 時間
防塵衣セット(衣・帽・靴)クリーニング： 1,293円 / 1式 - 学内利用料金
- 上記予約サイトのURLより設備統合管理システムにログインの上、ご確認ください。
- 備考
- <施設等使用料>
【クリーンルーム入室料】 国立大学法人東北大学電気通信研究所共同研究施設装置利用内規を適用
<消耗品費等＞
国立大学法人東北大学電気通信研究所共同研究施設装置利用内規を適用
