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加工・処理 一覧
検索結果90件
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[578]恒温槽（ACE-10AN）
用途：フォトリソグラフィプロセス全般（レジスト塗布、ベーキング、現像、パターン確…
- 型式
- KELK ACE-10AN
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
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[580]UVキュア（UIS-5011 MIKY-AGG01）
用途：フォトリソグラフィプロセス全般（レジスト塗布、ベーキング、現像、パターン確…
- 型式
- ウシオ電機 UIS-5011 MIKY-AGG01
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
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[581]真空定温乾燥機（ADP300）
用途：フォトリソグラフィプロセス全般（レジスト塗布、ベーキング、現像、パターン確…
- 型式
- ヤマト科学 ADP300
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
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[584]マスクアライナー（サブミクロンマスクアライメント MJB-3）
基板サイズ5mm角から最大3インチ角、マスクサイズ：2インチ角から4インチ角、…
- 型式
- SUSS MJB-3
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
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[585]レーザー描画装置（DWL200）
最小描画線幅：2μmライン／スペース
- 型式
- Heidelberg Instruments DWL200
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
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[586]マスクアライナー（スピンデバイス用リソグラフィ装置 MJB-3）
基板サイズ5mm角から最大3インチ角、マスクサイズ：2インチ角から4インチ角、…
- 型式
- SUSS MJB-3
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
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[587]ナノスピン熱処理装置（Si室）
各種ガス雰囲気中での熱処理が可能。300～1100℃。3体。
- 型式
- システムサービス
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
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[592]SiO2加工ドライエッチング（Si室）
Si及びSi基板上のSiO2のエッチングが可能。RF励起平行平板型。導入ガスCF…
- 型式
- アネルバ
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
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[594]ナノ・スピンメタルスパッタリングシステム（3FCR)
ターゲット材Al-Si(1%)、Ti。基板ホルダ33mmΦ（25枚／ロット）、2…
- 型式
- アネルバ EVP-38877
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
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[595]ボンダー（A408）
ワイヤAl,Au。顕微鏡最大倍率60倍。超音波発生の出力と時間を独立制御可能。パ…
- 型式
- WEST・BOND 7476D
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
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[596]スパッタ装置（3FCR)
4”Φカソード３基。最大搬送基板サイズ4”Φ。最大基板加熱温度350℃。到達真空…
- 型式
- アネルバ
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
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[597]金属蒸着装置（3FCR)
アルミニウム用抵抗加熱型蒸着源２個。対応ウェハサイズ33mmφ、2”、6”、8”…
- 型式
- 日本シード研究所 ESE-09
- 所在
- 電気通信研究所 / 片平キャンパス
