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キャンパス 一覧
検索結果684件
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[447]中電流イオン注入装置〔リンク〕
最大加速電圧:180keV、最大電流:0.6mA、注入可能元素:P、B、カセット…
- 型式
- 日新イオン機器 NH-20SR
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[449]ランプアニール装置〔リンク〕
最高温度:1100℃、昇温速度:100℃/sec、カセットtoカセット
- 型式
- AG Associates AG4100
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[450]メタル拡散炉〔リンク〕
最高温度:1000℃、メタルや圧電基板等の多用途拡散
- 型式
- 光洋リンドバーグ Model270
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[451]LPCVD(SiN)〔リンク〕
SiN
- 型式
- システムサービス
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[452]LPCVD(Poly-Si)〔リンク〕
Poly-Si
- 型式
- システムサービス
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[453]LPCVD(SiO2、SiON)〔リンク〕
SiO2(NSG)、SiON
- 型式
- システムサービス
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[454]W-CVD〔リンク〕
タングステン成膜
- 型式
- Applied Materials P-5000
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[455]アネルバ スパッタ装置〔リンク〕
1バッチ9枚(4インチ)、8インチターゲット×3
- 型式
- アネルバ SPF-730
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[456]電子ビーム蒸着装置〔リンク〕
主に金属薄膜の蒸着
- 型式
- アネルバ EVC-1501
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[457]ゾルゲル自動成膜装置〔リンク〕
PZT成膜
- 型式
- テクノファイン PZ-604
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[458]めっき装置〔リンク〕
Cu、Ni、Sn、Au
- 型式
- 山本鍍金試験器
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他
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[459]JPEL PECVD〔リンク〕
SiN、SiO2、バッチ式:4インチ×13枚、6インチ×8枚
- 型式
- 日本生産技術研究所 VDS-5600
- 所在
- マイクロシステム融合研究開発センター / その他