[544]赤外線加熱合成炉

設備・機器
ID
544
設備・機器分類
加工・処理 | 試料作製
利用区分
学内:〇, 学外:〇
メーカー
クリスタルシステム
型式
FZ-4-10K-K-M
仕様・特徴
最高2000℃程度までの融点を持つ試料の単結晶育成が可能。(例:ルビー、銅酸化物、等)
用途・使用目的
試料合成
キャンパス
片平キャンパス
部局
金属材料研究所
管理部署
量子ビーム金属材料研究部門
設備担当者
利用相談はこちらより必要事項をご記入の上、お問い合わせください。
予約サイトのURL
https://share.cfc.tohoku.ac.jp/share/equipment/detail/1/218
備考
情報最終更新日:20230605
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